MOSFET开启的瞬态过程与应对方法分析
摘要:阐述MOSFET开启时栅极各个阶段的瞬态过程,MOSFET器件开启过程中栅极每个阶段特定波形的形成原因,从原理上分析了在开启时,栅极的上升台阶在实际应用中带来的问题和危害和规避方法。
关键词: MOSFET; 上升台阶; 寄生电容;
专辑: 信息科技
专题: 无线电电子学
分类号: TN386
相似文献读者推荐相关基金文献关联作者相关视频批量下載
[1] 长腔氦氖激光器获得单频激光的瞬态过程[J]. 赵绥堂,田测产,周勇跃,孔沈铁.光电子·激光,1997(02)
[2] 零伏可调稳压电源中的开关瞬态过程[J]. 楼滨乔.核电子学与探测技术,1990(04)
[3] 热红外成像用于固体撞击瞬态过程监测的实验探索[J]. 吴立新,李国华,吴焕萍.科学通报,2001(02)
[4] 电路瞬态过程数值解中元件模型的误差分析及算法修正[J]. 胡立华,任震,叶一麟.重庆大学学报(自然科学版),1985(03)
[5] RC电路瞬态过程电子仿真实验设计[J]. 易洪刚,陈罡.江西教育学院学报(综合),2003(06)
[6] Cd掺杂对Zn1-xCd_xS:Cu能带结构和光电子瞬态过程的影响[J]. 李庆;张晓军;林琳;郑一搏;韦志仁.人工晶体学报,2007(04)
[7] 固体激元的相干瞬态过程与相干控制-飞秒相位光谱技术与应用[J]. 周建英,罗琦,戴德昌,余向阳,V.Ninulescu,李青,丘志仁,罗莉,王干全,李真,陈磊.量子电子学报,1999(06)
[8] 判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法[J]. 张鸿欣.半导体学报,2002(05)
[9] 基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法[J]. 陈材;裴雪军;陈宇;汪洪亮;康勇.中国电机工程学报,2011(21)
[10] 用于高效DC/DC变换器的沟槽MOSFET[J]. Jess Brown ,Mohamed Darwish.电子产品世界,2003(20)
- 上一篇:数字控制全桥型DC-DC模块电源的设计 2023/4/16
- 下一篇:无通信化主从绕组电机驱动系统的设计 2023/4/9