电子技术杂志社

摘要：阐述4H-SiC晶圆的Si面上通过CVD淀积与低温热氧化生长的双层栅氧化物结构，在高温氮气环境下可降低4H-SiC/SiO2界面的高密度界面缺陷。采用PECVD淀积一层均匀的SiO2膜后，通过热氧化工艺在淀积膜与4H-SiC/SiO2间生长一层很薄的氧化物过渡层。根据不同温区间热氧化温度形成的SiO2膜晶型不同，改变界面中氮气退火过程中氮元素的引入，从而钝化4H-SiC/SiO2的界面缺陷。

关键词： PECVD; 4H-SiC; 低温氧化; 界面态缺陷;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN305

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