逻辑电路产品SRAM待机漏电流的机理及改善方案分析
2025.02.14点击：
摘要：阐述针对逻辑芯片生产线中实际遇到的SRAM漏电问题进行分析，提出三种方案对储存单元中共用通孔的形貌进行改善，并对结果进行对比和总结。
关键词： 集成电路制造;漏电功耗;SRAM;共用通孔;
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学;计算机硬件技术
分类号： TN405;TP333
在线公开时间： 2025-02-08 17:38（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）
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