超宽带压控振荡器设计及其相位噪声分析
2025.06.30点击：
摘要：阐述基于GaAs HBT工艺设计一款10～20GHz双波段压控振荡器。首先该振荡器采用一种新型振荡电路结构，通过粘接变容管方式降低电路寄生参数，通过键合线方式提高谐振电感Q值，从而优化振荡器的带宽和相位噪声。其次通过锁相环噪声传递函数，分析锁相环对振荡器相位噪声的抑制作用。最后对振荡器进行设计和流片。
关键词： 双波段;压控振荡器;锁相环;相位噪声;
专辑： 信息科技
专题： 无线电电子学
分类号： TN752
在线公开时间： 2025-06-20 15:02（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）
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