电子技术杂志社

摘要：阐述一维忆阻突触器件的制备方法及其电学传输特性，并探讨了一维忆阻器件在类脑学习特性方面的研究进展。一维纳米线忆阻器件的制备方法多样，阻变材料种类繁多。由于其特有的阻变开关机制，忆阻器表现出类似神经突触的记忆和学习行为。

关键词： 一维纳米线;忆阻器;阻变;神经突触;

基金资助： 江苏师范大学大学生创新创业训练计划项目(XSJCX13067)； 江苏省卓越工程师教育培养计划2.0专业资助项目；

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN60

在线公开时间： 2025-03-10 20:48（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）