电子技术杂志社

摘要：阐述以半绝缘4H-SiC单晶衬底为α粒子探测器主体的实验。通过在正反两面分别沉积Ni/Au金属电极形成肖特基接触，成功制备了一种双肖特基结型α粒子探测器。探测器经过快速热退火后，在-200V的反向偏压下漏电流为0.6 nA。探究光照对器件的影响，结果表明环境光对器件性能影响较小。在不同偏压下进行α粒子能谱测试，结果表明探测器在-500 V时具有最佳能量分辨率23.21%。

关键词： 半绝缘4H-SiC;α粒子;能谱测试;

基金资助： 国家自然科学基金（12275049）； 江西省国际科技合作重点项目（20232BBH80005）；

专辑： 信息科技;工程科技Ⅱ辑

专题： 核科学技术

分类号： TL816.2

在线公开时间： 2025-03-10 20:54（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）