旋涂法制备Bi2S3纳米棒及其忆阻器件的应用
2025.04.02点击：
摘要：阐述通过旋涂法制备Bi2S3纳米棒（NRs）及其在忆阻器件领域的应用。XRD和SEM测试结果显示，所制备纳米棒具有良好的结晶性和致密性。构建了结构为Ta/Bi2S3 NRs/TiO2/FTO的忆阻器件，器件表现出典型的双极型阻变开关特性，存储窗口电阻比约为25倍，在130次以上的循环测试中未观察到明显性能衰退，能够满足忆阻器件的应用需求。
关键词： Bi2S3纳米棒;旋涂法;忆阻器;
专辑： 信息科技;工程科技Ⅰ辑
专题： 材料科学;无线电电子学
分类号： TB383.1;TN60
在线公开时间： 2025-03-10 20:48（知网平台在线公开时间，不代表文献的发表时间）
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