电子技术杂志社

摘要：阐述动态电阻退化是GaN晶体管面临的主要问题之一，混合漏极型GaN晶体管的动态导通电阻特性与没有p-GaN漏极的GaN晶体管不同，需要得到进一步的研究。探讨使用多脉冲测试来表征HD-GIT在不同温度、电压应力和开关模式的条件下的动态导通电阻，对内在机制进行分析。

关键词： 功率器件; 氮化镓; 动态电阻; 硬开关;

基金资助： 国家自然科学基金资助项目(52077200)； 浙江省杰出青年科学基金(LR21E070001)； 2020年广东省重点领域研发计划重大专项(2020B010174003)；

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN386

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