电子技术杂志社

摘要：阐述GaN HEMT器件背面工艺的步骤以及背面减薄的特点，针对减薄工艺所需的技术支持需求提出临时键合工艺，探讨临时键合工艺中的问题，优化工艺步骤，提出解决方法，采用粗磨加多步精磨的方法得到50μm厚度的超薄晶圆，验证减薄的可行性。

关键词： 减薄技术; 临时键合技术; 碳化硅;

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN386

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